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公司介绍

达新半导体有限公司成立于2013年,是以海归博士为主创立的一家中外合资的高科技公司,公司主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售,并提供相关的应用解决方案。总部设于在浙江省宁波的余姚市,在上海和杭州设有子公司,其中上海子公司有芯片设计中心,杭州子公司建有IGBT模块生产线,深圳设有销售办事处。

达新半导体团队拥有多年海内外功率半导体芯片研发和制造经验,公司创始人有二十年功率半导体器件开发及制造经验,其中十二年海外著名功率半导体IR公司功率半导体芯片工艺开发及产业制造经验,公司创始人在中国率先实现国产IGBT芯片量产和销售。 公司拥有国际领先的IGBT,MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺技术,建有国内领先的功率半导体器件测试、应用及可靠性试验室,拥有一条测试和制造手段完备的IGBT模块生产线。

公司团队在8寸和6寸晶园制造平台上同时开发成功二代技术(平面型NPT),三代技术(平面型FS),四代技术(沟槽型NPT),五代技术(沟槽型FS)全部IGBT芯片技术,开发出600V, 1200V和1700V的8寸及6寸IGBT各种电流规格的IGBT芯片产品, 芯片电流规格从10A至200A, 芯片核心指标接近国际最先进的产品指标。 达新能够制造从600V至1700V, 可满足大部分应用领域的IGBT芯片产品, 达新IGBT芯片达到了国内绝对领先和国际先进水平。

公司已成功开发多种IGBT模块产品,电压等级涵盖600V~3300V,电流等级涵盖10A~1000A。产品已可应用于逆变焊机、变频器、感应加热、大功率电源、UPS、新能源汽车、太阳能/风力发电、SVG等领域。

公司秉承“创新、品质、诚信、共赢”的经营理念,寻求产业链各方合作,发挥各方优势,实现互惠共赢,创建中国的IGBT核心产业。

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